ZY-DBC—091晶閘管關(guān)斷時間測試儀產(chǎn)品應(yīng)用特點
快速晶閘管和高頻晶閘管的關(guān)斷時間是最難確定的重要參數(shù)之一，因為它對許多
因素有很強的依附性，例如結(jié)溫、控制極偏置、陽極電壓和電流的波形及幅值等都對
關(guān)斷時間有較大的影響。嚴格按標準測試條件制作的關(guān)斷時間測試設(shè)備線路復(fù)雜、體
積大、價格昂貴，我們參考國外有關(guān)資料介紹，設(shè)計了簡易型晶閘管關(guān)斷時間測試儀，
該儀器采用單片機控制，讀數(shù)數(shù)字顯示，具有操作簡單、體積小、重量輕、便于攜帶、
價格低廉等特點，可供晶閘管生產(chǎn)車間半成品及成品的中間測試，以供工藝設(shè)計人員
調(diào)整工藝參數(shù)提供依據(jù)。對整機應(yīng)用的工程技術(shù)人員作為對元件關(guān)斷時間的選用和多
只元件串并聯(lián)時的關(guān)斷時間配對帶來方便。該測試儀所測關(guān)斷時間一般乘以常數(shù) 2±
0.2 后能大致與標準條件下測得的關(guān)斷時間相一致。
技術(shù)參數(shù)與要求：
1．關(guān)斷時間測試范圍： 3－200μS、5－500μS
2．測試結(jié)溫： 室溫測試
3．工作環(huán)境： 海拔不超過 2000 米
環(huán)境溫度：0～40℃
相對濕度：<85%
無導電及爆炸性塵埃
無腐蝕金屬和破壞絕緣的氣體或蒸汽
無劇烈振動和沖擊
4．測量精度： ±5%
5．測量重復(fù)性誤差： ±0.5μS
6．整機電源功耗： AC220V ±10% 50Hz，小于 50VA
7．整機外形尺寸： 140×280×320mm
8．整機重量： 約 3.5Kg
ZY-DBC-021晶閘管伏安特性測試儀
該測試儀是符合國標GB4023-83《半導體器件整流二極管的測試方法》和GB-4024-83《半導體反向阻斷三極晶閘管的測試方法》，能測試各種晶閘管（KP、KK、KA、KS）及晶閘管模塊的VDSM、VRSM、VDRM、VRRM、IDSM、IRSM、IDRM、IRRM與各種整流二極管（ZP、ZK）的VRSM、VRRM、IRSM、IRRM等參數(shù)。線路設(shè)計簡潔精煉，采用單片機控制，具有體積小、重量輕、操作簡單、測試準確、保護可靠和維修方便等特點，是晶閘管及整流管器件生產(chǎn)廠、經(jīng)銷商及整機廠檢測器件伏安特性參數(shù)專用檢測設(shè)備
主要技術(shù)指標：
1．峰值電壓測量范圍：0—3000V、0—4500V、0—6000V、0—9000V
2．峰值漏電流測量范圍：0—100mA、0—200mA
3．峰值漏電流保護設(shè)定范圍：0—99mA、0—198mA
4．機內(nèi)示波器可觀看動態(tài)峰值電壓與峰值漏電流的變化伏安特性曲線波形
ZY-DBC-112晶閘管靜態(tài)參數(shù)綜合測試臺
一、概述：
該測試臺是將晶閘管及整流二極管的多個靜態(tài)直流參數(shù)的測試制作在一起的綜合性測試臺，能測試晶閘管的VDRM、VRRM、IDRM、IRRM、IH、VGT、IGT、ITM、VTM及整流二極管的VRRM、IRRM、IFM、VFM多項參數(shù)，測試方法符合GB4023-83、GB4024-83的規(guī)定。所有的參數(shù)均為數(shù)字顯示，讀數(shù)直觀準確。設(shè)備內(nèi)還自帶示波器用于觀看伏安特性曲線。該設(shè)備具有操作簡單，測試準確，重復(fù)性好等特點，是電力半導體器件生產(chǎn)和使用單位的檢測設(shè)備。
二、主要技術(shù)指標和參數(shù)：
1．峰值電壓測量范圍：0—4000V
2．峰值漏電流測量范圍：0—100mA
3．峰值漏電流保護設(shè)定范圍：0—99mA
4．觸發(fā)電壓測量范圍：0—5V
5．觸發(fā)電流測量范圍：0—450mA
6．維持電流測量范圍：0—450mA
7．通態(tài)峰值電流測試范圍：0—6000A
8．通態(tài)峰值電壓測試范圍：0—5V
9．整機電源功耗：AC220、≤1000VA
ZY-DBC-091/051/081晶閘管動態(tài)參數(shù)綜合測試臺產(chǎn)品特點
晶閘管關(guān)斷時間、電壓上升率、電流上升率綜合測試臺
一、概述：
晶閘管的關(guān)斷時間 t q ，電壓上升率dv/dt ，電流上升率di/dt是晶閘管元件的三個重要動態(tài)參數(shù)，國標規(guī)定這三個動態(tài)參數(shù)是快速晶閘管和高頻晶閘管元件出廠前的必測項目。我們研制的三參數(shù)綜合測試臺，是以國標測試標準為依據(jù)，以滿足大批量生產(chǎn)為前提而設(shè)計的，具有操作簡單、讀數(shù)直觀、測試效率高等特點，特別是各參數(shù)自動測試、數(shù)字顯示，不用看示波器，不用手動調(diào)節(jié)，減少了人為誤差，提高了測試效率。元件上夾具后三個參數(shù)一次測完，減少了管芯表面損傷，并提高了測試效率。
二、整機技術(shù)指標：
1．關(guān)斷時間t q 測試范圍：5—200μS
主要測試條件：
①通態(tài)峰值電流：50A—1000A可調(diào)
②通態(tài)峰值電流底寬：約400μS
③通態(tài)峰值電流下降率：-di/dt=10—20A/μS
④關(guān)斷期間施加反壓幅值：20—100V
⑤重加電壓幅值：100—1000V可調(diào)
⑥重加電壓dv/dt：30V/μS
⑦測試重復(fù)頻率：12.5Hz或6.25Hz
⑧結(jié)溫：按規(guī)定
2．dv/dt測試范圍：200、300、500、800、1000V/μS自動轉(zhuǎn)換
主要測試條件：
①dv/dt電壓幅值：0—1000V可調(diào)
②測試重復(fù)頻率：50HZ
③指數(shù)法測試
④結(jié)溫：按規(guī)定
3．di/dt測試范圍：100—200A/μS 可調(diào)
主要測試條件：
①通態(tài)峰值電流幅值：1000—2000A可調(diào)
②通態(tài)峰值電流底寬：約20μS
③開通前斷態(tài)電壓：500—1000V可調(diào)
④觸發(fā)脈沖前沿≤0.5μS，底寬=30μS
⑤測試重復(fù)頻率：50HZ
⑥結(jié)溫：按規(guī)定
4、配簡易測試恒溫夾具：
①恒溫范圍：室溫—150℃可調(diào)
②夾具壓力：人力控制。
ZY-DBC-101-ITSM晶閘管浪涌電流測試臺產(chǎn)品技術(shù)特點
晶閘管浪涌電流測試臺的測試方法符合國標，用于檢驗晶閘管的浪涌電流過載能力，主回路采用LC振蕩直接放電法，浪涌電流接近正弦半波?？刂苹芈凡捎脝纹瑱C控制，所測參數(shù)數(shù)字顯示。是晶閘管和整流二極管生產(chǎn)、應(yīng)用等單位設(shè)備。
技術(shù)指標：
1．ITSM為底寬接近10ms的近似正弦半波。
2．ITSM測試范圍：500A—6000A，分辨率10A，精度±5%，數(shù)字表顯示。
3．VRM測試范圍：200V—2000V，分辨率10V，精度±5%，數(shù)字表顯示。
4．測試頻率：單次。
5．設(shè)備配有專用示波器供觀看反向伏安特性波形。
ZY-DBC-012晶閘管峰值壓降測試臺產(chǎn)品特點
本設(shè)備是依據(jù)國標 GB4023--83《半導體器件整流二極管的測試方法》和 GB4024--83《半
導體器件反向阻斷三極晶閘管的測試方法》而研制的晶閘管和整流管通態(tài)峰值電流和通態(tài)
峰值電壓的專用測試設(shè)備。能測試各種晶閘管（KP、KK、KA、KS）的 ITM及 VTM和各種整
流二極管（ZP、ZK）的 IFM及 VFM參數(shù)。本設(shè)備采用儲能式單次脈沖測試方式，通電時間
短，結(jié)溫升可忽略不計。通態(tài)峰值電流采用數(shù)字撥碼開關(guān)進行設(shè)定，峰值電壓由數(shù)字電壓
表顯示，具有操作簡單，測試準確，重復(fù)性好等特點，是電力半導體器件生產(chǎn)廠家和使
用單位檢測設(shè)備。
主要技術(shù)指標：
1．自動測試，參數(shù)數(shù)字顯示。
2．通態(tài)峰值電流測試范圍：100—3000A。
3．通態(tài)峰值電壓測試范圍：0—5V
4．峰值電流底寬：≥2mS
5．重復(fù)測試時間：小于 5S
6． 測試參數(shù)保持顯示，設(shè)置復(fù)位按鈕。
7．整機電源功耗：AC220V、小于 1KVA
8．整機外形尺寸： 600×600×800
9．整機重量：約 80kg
ZY-DBC-161晶閘管模塊全動態(tài)測試臺產(chǎn)品特點
晶閘管模塊的全動態(tài)測試，實際上是模擬器件的工頻應(yīng)用狀態(tài)，在正半周施加接近單相正弦半波的額定通態(tài)平均電流，使器件自身發(fā)熱，當發(fā)熱與散熱達到熱平衡時，器件結(jié)溫將穩(wěn)定在一定值，此時在負半周施加正向或反向不重復(fù)峰值電壓或重復(fù)峰值電壓，在正向或反向重復(fù)峰值電壓下讀取正向或反向重復(fù)平均漏電流。在不加正向或反向峰值電壓時測取器件的通態(tài)平均壓降。當重復(fù)平均漏電流和通態(tài)平均壓降都小于標準規(guī)定值時，該器件為全動態(tài)測試合格。
晶閘管的全動態(tài)測試是過去部標測試標準中規(guī)定的器件出廠必測項目，它能將那些在高溫測試時重復(fù)峰值電壓和漏電流都合格而在通額定電流時結(jié)溫過高漏電流過大的器件淘汰掉，保證了器件出廠使用的可靠性。
該測試臺線路設(shè)計先進、主回路無負載電阻、節(jié)電效率高、操作簡單、保護可靠，是晶閘管模塊生產(chǎn)廠家控制產(chǎn)品質(zhì)量檢測設(shè)備。
主要技術(shù)指標：
1.通態(tài)平均電流測試范圍： 50—500A ,50—800A ,50—1000A（分八擋）
2.通態(tài)平均壓降測試范圍： 0—1.5 V
3.正反向峰值電壓測試范圍： 0—2500 V
4.正反向平均漏電流測試范圍：0—15 mA
5.機內(nèi)配有專用示波器供觀看伏安特性曲線
6.保護措施：當漏電流超過保護設(shè)定值時，保護線路能自動在半個周期（10mS）內(nèi)關(guān)閉高壓，確保被測器件不被擊穿
7.冷卻方式：開環(huán)室溫吹風冷卻
8.供電方式：采用Ａ相和Ｃ相380V供電，最大使用功率約15KVA
ZY-DBC-101-IFSM二極管浪涌電流測試臺產(chǎn)品應(yīng)用
二極管元件在實際使用中，除了能長期通過額定通態(tài)平均電流外，還應(yīng)能承受一定倍數(shù)的浪涌過載電流而不致?lián)p壞，以便適應(yīng)在各種應(yīng)用中的要求。二極管的浪涌過載電流如果超過其允許范圍，輕者引起元件性能變壞（如伏安特性、通態(tài)峰值電壓的變化），重者造成燒毀穿通而失去反向阻斷能力。通過浪涌過載電流測試合格的器件，可以大大提高其在使用中的可靠性。
我們開發(fā)研制二極管浪涌電流測試臺，主要是依據(jù)JB/T7624-94《整流二極管測試方法》和JB/T7626-94《反向阻斷三極管測試方法》的有關(guān)規(guī)定而設(shè)計的。該設(shè)備線路設(shè)計簡潔精練，采用單片機控制，完成對電容自動充電、自動穩(wěn)壓，自動檢測浪涌電流的實際波形和峰值，并存儲保持。浪涌電流峰值由數(shù)字表顯示，浪涌電流波形由波形接口輸出供外接示波器觀察分析。該設(shè)備具有技術(shù)先進、性能可靠、體積小、重量輕、操作簡單、測試重復(fù)性好、維修調(diào)試方便等特點，是電力半導體器件生產(chǎn)的試驗檢測設(shè)備。
主要技術(shù)指標：
1. IFSM測試范圍：200A—2000A±3％
2. IFSM波形：分兩檔，分別為底寬7.5—8.5mS和9.2—10.2mS的近似正弦半波
3. ITSM測試頻率：單次波
4. 設(shè)有浪涌次數(shù)記錄顯示，為重復(fù)多次浪涌提供方便。
5. 設(shè)有ITSM存儲波形觀察接口，為維修調(diào)試提供方便。
6. 整機電源：AC220V、50Hz，平均功率小于1KVA。
7. 整機外型：600×600×960滾輪式落地機柜，可自由移動。
ZY-DBC-031晶閘管觸發(fā)特性測試儀產(chǎn)品特點
本測試儀是測試各種反向阻斷晶閘管、雙向晶閘管及逆導晶閘管的維持電流 IH、
觸發(fā)電流 IGT、觸發(fā)電壓 VGT 三項參數(shù)的專用測試設(shè)備。本儀器測試方法符合 GB4024- GB4024-83
國標的規(guī)定，線路設(shè)計簡潔精煉，采用單片機控制、自動測試、數(shù)字顯示、操作簡單、
維修方便、價格低廉，是電力半導體器件生產(chǎn)廠家和器件使用單位的檢測設(shè)
備。
本儀器具有以下特點：
1. 能測試雙向晶閘管I +、I -、Ⅲ - 三個象限的觸發(fā)電流和觸發(fā)電壓。
2. 可任意設(shè)定只測量某一參數(shù)或所有參數(shù)全測。
3. 每次測試只需按一下測試按鈕即可依次將所設(shè)定的參數(shù)測完并自動復(fù)位等待
下次測試。
4. 參數(shù)測試結(jié)果的顯示時間可在 1-9 秒內(nèi)任意設(shè)定，也可以長時間顯示，再按下
測試按鈕進行下一參數(shù)的測試。
5. 有故障判斷功能，當被測管是壞的，或因接線錯誤、接觸不良等原因測不出參
數(shù)時，儀器即自動判斷故障，此時測試按鈕燈閃爍一下，并能發(fā)出嘟的一聲報
警。
二、技術(shù)參數(shù)與要求：
1. 維持電流測試范圍： 5 — 4 5 0 m A
2. 觸發(fā)電流測試范圍： 5 — 4 5 0 m A
3. 觸發(fā)電壓測試范圍： 0 — 4 . 5 V
4. 測量時間： ＜ 2 S
5. 讀數(shù)顯示時間： 1 — 9 S 可任意設(shè)定
6．工作環(huán)境： 海拔不超過 2000 米
環(huán)境溫度：0～40℃
相對濕度：<85%
晶 閘 管 I 晶 閘 管 I H、 I G T 、 V G T 自 動 測 試 儀 使 用 說 明 書 使 用 說 明 書
無導電及爆炸性塵埃
無腐蝕金屬和破壞絕緣的氣體或蒸汽
無劇烈振動和沖擊
7．測量精度： ±5%
8.整機電源功耗： AC220V ±10% 50Hz，小于 50VA
9.整機外形尺寸： 140×320×280mm
10.整機重量： 約 5Kg
ZY-DBC-021/031晶閘管綜合測試儀主要技術(shù)指標
晶閘管的伏安特性和觸發(fā)特性是晶閘管的最基本特性，這些特性的好壞，直接影響到
器件在整機上的正常使用。因此，檢測晶閘管的伏安特性和觸發(fā)特性在晶閘管器件的生產(chǎn)、
經(jīng)銷及使用過程中都是十分重要的。測試以上參數(shù)通常由晶閘管伏安特性測試儀和晶閘管
門極觸發(fā)特性測試儀完成，測試伏安特性參數(shù)時還需另配一臺示波器觀看伏安特性曲線，
以上三臺儀器總造價比較高，且臺數(shù)多、占地大、操作不方便。我們根據(jù)廣大用戶的需求，
現(xiàn)研制出將以上三臺儀器作在一起的晶閘管伏安特性、觸發(fā)特性綜合測試儀，深受廣大用
戶好評。
該測試儀測試方法符合國標 GB4024-83 的規(guī)定，線路設(shè)計簡捷精練，采用單片機控制，
數(shù)字顯示。機內(nèi)示波器可直接觀看伏安特性曲線。具有體積小、重量輕、操作簡單、測試
準確、保護可靠、維修方便、價格低廉等特點，能測試各種晶閘管及晶閘管模塊的正反向
不重復(fù)峰值電壓、正反向重復(fù)峰值電壓、正反向重復(fù)峰值漏電流及門極觸發(fā)電流與觸發(fā)電
壓。是晶閘管器件生產(chǎn)廠、器件經(jīng)銷商及整機廠檢測晶閘管多項參數(shù)的綜合性專用測試設(shè)
備。
晶閘管在使用過程中，由于受到過流、過壓、過熱等諸多因素的影響，其伏安特性和
觸發(fā)特性將會逐漸變差，甚至不能維持正常使用或*損壞，因此在進行整機維修時，對
已用過的元件和要新上機的元件進行檢測確認性能良好后再上機，對盡快排除設(shè)備故障少
走彎路很有好處。。
二、技術(shù)參數(shù)與要求：
1．峰值電壓測量范圍： 0—3000V
2．峰值漏電流測量范圍： 0—100mA
3．峰值漏電流保護設(shè)定范圍： 0—99mA
4．機內(nèi)示波器可觀看動態(tài)峰值電壓與峰值漏電流的變化伏安特性曲線波形
5．觸發(fā)電壓測量范圍： 0—4.5V
6．觸發(fā)電流測量范圍： 5—450mA
7．工作環(huán)境： 海拔不超過 2000 米
環(huán)境溫度：0～40℃
相對濕度：<85%
無導電及爆炸性塵埃
無腐蝕金屬和破壞絕緣的氣體或蒸汽
無劇烈振動和沖擊
8．測量精度： ±5%
9.整機電源功耗： AC220V ±10% 50Hz，小于 150VA
10.整機外形尺寸： 200×400×360mm
11.整機重量： 約 8Kg
尊敬的用戶：感謝您關(guān)注我們的產(chǎn)品，本公司除了有此產(chǎn)品介紹以外，還有真空度測試儀，SF6微水測試儀，真空開關(guān)動特性測試儀，斷路器動特性測試儀，高壓開關(guān)動特性測試儀，串聯(lián)諧振耐壓試驗裝置，高低壓開關(guān)柜通電試驗臺，六相繼電保護測試儀，靜電電壓表，三倍頻發(fā)生器,三倍頻感應(yīng)耐壓裝置，超低頻耐壓試驗裝置，0.1HZ超低頻高壓發(fā)生器，硅橡膠高壓線，真空檢測儀,CT伏安特性測試儀,變壓器變比測試儀,礦用雜散電流測試儀，高壓測試儀,變頻介質(zhì)損耗測試儀等等，您如果對我們的產(chǎn)品有興趣，咨詢。謝謝！
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